Standort

Raumnummer: DB08H15
Tel.: +43(0)1 58801 13732

SCIOS DB-FIB
Spezifikationen
  • chemische Nanoanalyse (100 µm - 10 nm)
  • Strukturanalyse mit nm Auflösung
  • 3D Tomographie für Life Sciences
  • Zielpräparation für TEM mit nm Präzision
  • 3D in-situ Analyse von Defekten oder Regionen von Interesse in Metallen, Halbleitern und Keramiken
  • Präparation und Analyse von porösen Materialien
  • Präparation und Analyse von Proben bei niederen Temperaturen (cryo-stage)
  • Probenpräparation, -charakterisierung und -analyse bei Drücken bis zu 2600 Pa
  • Aufladungsfreie Abbildung von Isolatoren unter Niedervakuum (bis 130 Pa)
  • Defektreparatur in Halbleiterdesign
  • Nanomachining
  • scripting für Automatisierung der FIB