Bei der diesjährigen Konferenz, ist es Andreas Fuchsberger vom Institut für Festkörperelektronik gelungen den „Young Researcher Award“ für sein Forschungsthema „Modulation-Acceptor-Doped SiGe Schottky Barrier Field-Effect Transistors“ zu gewinnen. Der mit 450€ dotierte Preis wurde von einer Fachjury bestehend aus internationalen Forschenden vergeben.
In der vorgestellten Arbeit geht es um neuartige, Silizium-Germanium Transistoren mit monolithischen Aluminiumkontakten. Statt wie bisher Fremdatome in den Halbleiterkristall einzubauen (Dotierung), wird bei der Modulations-Akzeptor-Dotierung (MAD) die Oxidschicht dotiert. Diese verbessert die Leitfähigkeit des Halbleiters „aus der Ferne“, ohne den Kristall selbst zu verunreinigen. Bemerkenswerterweise ist es mit diesem Materialsystem möglich, einen Transistor mit verbessertem Einschaltwiderstand zu erreichen. Das vorgestellte Konzept ist speziell in Hinsicht auf zukünftige Quantenprozessoren sehr interessant, da diese Systeme klassische Elektronik zum Steuern und Auslesen brachen, die auch bei sehr niedrigen Temperaturen funktionieren. Hier versagt konventionelle Elektronik, da die verwendete klassische Dotierung durch die tiefen Betriebstemperaturen inaktiviert wird. „Wir konnten bereits zeigen, dass unser Transistor diese Probleme umgehen kann.. “, sagt Andreas Fuchsberger, der als Projektassistent am Institut für Festkörperelektronik an der TU Wien an seiner Doktorarbeit forscht. Im Zuge der Arbeit wird zukünftig weiter versucht, die hergestellten Transistoren weiter zu optimieren und darauf aufbauend größere zusammenhängende Schaltungen herzustellen.
„Es wird spannend zu entdecken sein, wie weit wir unsere Strukturen weiter verbessern können, um noch mehr die Vorteile der verwendeten Transistorplattform zu nutzen“, sagt Andreas Fuchsberger.