Simulation von Topographieprozessen in der Halbleiterfertigung
Ernst Strasser promovierte im Dezember 1994 mit dem Thema „Simulation von Topographieprozessen in der Halbleiterfertigung“, wofür er auch den Dr. Ernst Fehrer-Preis zuerkannt bekam. In dieser Arbeit wurde ein völlig neues Verfahren zur Topographiesimulation entwickelt, die als Teilgebiet der Prozesssimulation die Vorhersage der Geometrieänderung eines Bauelements bei Anwendung eines Lithographie-, Ätz- oder Depositionsverfahrens ermöglicht.
Das neue Verfahren gestattete erstmals eine robuste und effiziente dreidimensionale Simulation aller damals in der Praxis vorkommenden Ätz- und Depositionsprozesse. Die Simulationsgeometrie wurde dabei als digitales Bild durch würfelförmige Materialzellen darstellt. Diese Beschreibungsform erlaubte beliebig komplexe Simulationsgeometrien mit Löchern oder Bereichen, die vollständig von den übrigen Materialbereichen getrennt waren.