Institut für Chemische Technologien und Analytik

Institut für Chemische Technologien und Analytik - Übersicht

Das Institut für Chemische Technologien und Analytik an der Fakultät für Technische Chemie überbrückt unterschiedliche Aspekte der Chemie, Technologie, Analytischen Chemie, Materialwissenschaften, Bioanalytik, Elektrochemie und Umweltchemie und vereint Grundlagenforschung und Angewandte Forschung in einem Institut - ein Alleinstellungsmerkmal im Zentral- und Osteuropäischen Raum. 

Der wissenschaftliche Fokus des Instituts liegt zum Einen bei der Entwicklung von Analytischen Strategien, Methoden und Instrumenten (zum Beispiel: (Bio)Sensoren, Omics-techniken, Massenspektrometrie, Imaging-techniken, Ultra-spuren-trenntechniken und Detektionstechniken auf elementarem und molekularen Level) und zum Anderen im Zusammenhang mit Technologien von Spezialmaterialien, von Metallen, zu seltenen Metallen, High-performance Keramiken, Dünnfilm und Compositen, bis hin zu biomedizinischen Materialien, als auch Energiespeicher und Umwandlungs-geräten im Bereich der elektrochemischen Technologien. Die Entwicklung von analytischen Techniken für die Strukturaufklärung als auch für Umweltchemische Fragestellungen sind weitere Fokuspunkte am Institut.

Die Stärke des Instituts liegt in der bemerkenswerten Kombination von industrie-getriebenen angewandten Forschungsprojekten mit einer außergewöhnlichen Bandbreite an analytische, chemischen und strukturellen Methoden, die durch den großen Pool an "High-end" wissenschaftlichen Equipment und Instrumentierungen dargestellt wird. Um ein Beispiel zu nennen: Das Institut verfügt über einen exzellenten internen Gerätepool, der kompetitive Forschung an einer großen Anzahl an unterschiedlichen Anwendungsfeldern erlaubt - von anorganischen Metall Materialien bis biologischen Gewebeproben.

Das Institut für Chemische Technologien ist in 5 Forschungsbereiche gegliedert, und besteht aus 12 Forschungsgruppen, die jeweils von international anerkannten Wissenschaftlern und Wissenschaftlerinnen, und high-potential Jungakademikern und Jungakademikerinnen geleitet werden.

Den Alterungsprozess von elektronischen Bauteilen verstehen

Katja Waschneck untersuchte die mikroskopischen Ursachen für den Alterungsprozess von Transistoren. Dafür bekam sie den Hannspeter-Winter-Preis der TU Wien.

Winter-Preisträgerin Katja Waschneck

Winter-Preisträgerin Katja Waschneck

Wer ein Handy benutzt, verwendet sie. Wer im Auto fährt, verwendet sie. Und wer eine moderne Waschmaschine in Betrieb nimmt, verwendet sie auch: Transistoren sind aus unserem technologischen Alltag nicht wegzudenken, viele Millionen von ihnen befinden sich auf heutigen Computerchips. Das bedeutet auch, dass die Zuverlässigkeit dieser Halbleiter-Bauteile immer wichtiger wird.

Die Elektrotechnikerin und Physikerin Katja Waschneck hat an der TU Wien in Zusammenarbeit mit der Firma Infineon Technologies AG untersucht, wie sich der Alterungsprozess von Feldeffekt-Transistoren aus Silizium oder Siliziumkarbid mikroskopisch verstehen lässt. Sie untersuchte, mit welchen Modellen und Experimenten man bessere, zuverlässigere und stabilere Bauteile entwickeln kann. Dafür wurde sie nun am 22. April mit dem Hannspeter-Winter-Preis der TU Wien ausgezeichnet.

Feldeffekt-Transistor: Ein Widerstand zum Ein- und Ausschalten

„Elektronische Bauteile verändern sich im Lauf der Zeit, und dieser Alterungsprozess ist in der Mikroelektronik ein großes Problem – ganz besonders in sicherheitsrelevanten Anwendungen“, sagt Katja Waschneck. Der wichtigste Effekt, der die Lebensdauer von Halbleiterbauteilen verringert, ist die sogenannte Bias-Temperatur-Instabilität (BTI), die Katja Waschneck in ihrer Dissertation genau unter die Lupe nahm.

Bei einem Feldeffekt-Transistor wird über ein elektrisches Feld, das sich von außen steuern lässt, der Stromfluss durch den Transistor ein- oder ausgeschaltet. Die elektrische Spannung, die am Transistor angelegt wird, entscheidet, ob sich der Transistor wie ein sehr großer oder ein winzig kleiner elektrischer Widerstand verhält. Diese Eigenschaft macht den Transistor zum wichtigsten Grundbaustein logischer Schaltungen.

Normalerweise werden Transistoren heute aus Silizium hergestellt. Katja Waschneck nahm allerdings auch das Material Siliziumkarbid (SiC) genau unter die Lupe. Der Halbleiter SiC kann bei höherer Temperatur, höherer Frequenz und höherer Leistungsdichte betrieben werden als reines Silizium. Das bedeutet, dass man mit kleineren Kühlkörpern auskommt. Dadurch sind auf SiC basierende Systemlösungen effizienter, leichter, kompakter und auch kostengünstiger als Systeme, die rein auf Siliziumtechnologie aufgebaut sind. Es kommt zu weniger Verlusten, die Energieeffizienz wird erhöht.

Bestehende Modelle zu rechenintensiv

Eine wichtige Eigenschaft des Transistors ist seine Schwellspannung – jene elektrische Spannung, die man anlegen muss, um überhaupt irgendeinen Stromfluss zu ermöglichen. Ist die am Gate angelegte Spannung kleiner als diese Schwelle, fließt kein Strom. „Diese Schwellspannung kann sich aber im Lauf der Zeit verschieben, in Abhängigkeit der Temperatur und der angelegten Spannung“, sagt Katja Waschneck. „In den letzten Jahren hat man große Fortschritte in der physikalischen Modellierung dieses Alterungsmechanismus erzielt. In der industriellen Praxis sind diese Modelle aber nicht geeignet, weil sie sehr kompliziert sind und zu viel Rechenzeit benötigen.“ Waschneck entwickelte daher einfachere Modelle, mit denen diese Prozesse noch immer ausreichend genau aber in der Schaltungssimulation viel schneller berechnet werden können. Gerade für Siliziumkarbid-Transistoren waren solche Modelle bisher kaum vorhanden.

Bei der Modellentwicklung ist es wichtig, Theorie und Experiment zu verbinden: Um bessere, zuverlässigere Bauteile entwickeln zu können, braucht man eine gute Abstimmung zwischen theoretischen Modellen, die am Computer in akzeptabler Zeit gerechnet werden können, und Experimenten, die mit überschaubarem Aufwand die gewünschten Parameter liefern können. In ihrer Doktorarbeit präsentiert Katja Waschneck eine neue Messtechnik, um die Bias-Temperatur-Instabilität zu quantifizieren und die Zuverlässigkeit von Transistoren abzuschätzen.

Katja Waschneck

Katja Waschneck wuchs im Süden Deutschlands am Bodensee auf, an der Friedrich-Schiller-Universität in Jena begann sie Physik zu studieren. Nach ihrem Bachelor-Abschluss wechselte sie an die LMU München, wo sie ihr Studium mit einer Arbeit aus dem Bereich der Nanophotonik abschloss. 2015 schließlich wechselte sie an die Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik der TU Wien. In der Forschungsgruppe von Prof. Tibor Grasser forschte sie an Feldeffekt-Transistoren, kooperierte gleichzeitig mit der Halbleiter-Firma Infineon Technologies AG, für die sie seit 2020, seit Abschluss ihrer Doktorarbeit, in Dresden tätig ist.

Hannspeter-Winter-Preis für herausragende Dissertation

Jedes Jahr wird der Hannspeter-Winter-Preis an eine Absolventin des Doktoratsstudiums der TU Wien vergeben. Er ist mit 10.000 Euro dotiert und wird gemeinsam von der TU Wien und der BA/CA-Stiftung finanziert. Der Forschungspreis wurde im Gedenken an TU-Professor Hannspeter Winter gestiftet, der sich stets für die Förderung von Nachwuchswissenschaftlerinnen eingesetzt hat.

Rückfragehinweis

Dr. Katja Waschneck
Infineon
katja.waschneck@infineon.com

Aussender:
Dr. Florian Aigner
PR und Marketing, Technische Universität Wien
Resselgasse 3, 1040 Wien
+43 1 58801 41027
florian.aigner@tuwien.ac.at

Institutsvorstand

Portrait Jürgen Fleig


Univ.Prof. Dr. Jürgen Fleig

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e-mail: sekretariat+E164@tuwien.ac.at